TaC-beschichteter Graphit-Wafer-Abdeckring

Technische Kernvorteile

• Außergewöhnliche chemische Beständigkeit: Entwickelt, um aggressiven Ätzgasen (H₂, NH₃, HCl) bei Temperaturen zwischen 1200 °C und 2000 °C standzuhalten.

• Anpassung der Wärmeausdehnung: Unser proprietäres CVD-Verfahren stellt sicher, dass die TaC-Beschichtung eine optimierte CTE-Übereinstimmung (Wärmeausdehnungskoeffizient) mit dem Graphitsubstrat aufweist und so ein Abblättern oder Reißen bei schnellen Temperaturwechseln verhindert.

• Überlegene Partikelkontrolle: Durch die vollständige Versiegelung des porösen Graphits verhindert die TaC-Schicht das Ablösen von Partikeln, wodurch Ihre Waferausbeute direkt erhöht und die Ausfallzeit des Reaktors reduziert wird.

• Längere Lebensdauer: Hochverschleißfeste Oberfläche, die wiederholten Reinigungszyklen standhält und deutlich geringere Betriebskosten (CoO) im Vergleich zu unbeschichteten oder SiC-beschichteten Alternativen bietet.

Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung auf einem mikroskopischen Querschnitt

Produktparameter des TaC-beschichteten Graphitwafer-Abdeckrings

Warum sollten Sie sich für unsere TaC-Abdeckringe entscheiden?

Wir wissen, dass in der Halbleiterfertigung Zuverlässigkeit gleichbedeutend mit Rentabilität ist. Unsere TaC-beschichteten Graphit-Wafer-Abdeckringe werden in Chargen auf Beschichtungsdichte und Reinheit getestet. Ganz gleich, ob Sie von der 6-Zoll- auf die 8-Zoll-Waferproduktion umsteigen oder einen Hochtemperatur-MOCVD-Prozess optimieren, unsere Ringe bieten die thermische und chemische Abschirmung, die für eine erstklassige Epitaxie erforderlich ist.