Veeco Mocvd Providence

IT Semiconductor'sVeeco MocvdWafer Susceceptor ist eine kritische Komponente, die sorgfältig unter Verwendung von Ultrapure Graphit mit a entwickelt wurdeSiliziumkarbidbeschichtung (SIC). DasSic -Beschichtungbietet zahlreiche Vorteile, insbesondere die effiziente thermische Übertragung auf das Substrat. Das Erreichen einer optimalen thermischen Verteilung über das Substrat ist für die gleichmäßige Temperaturkontrolle von wesentlicher Bedeutung, um eine konsistente, hochwertige Dünnfilmabscheidung zu gewährleisten, was bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen von entscheidender Bedeutung ist.

Technische Parameter

Matrix der Materialeigenschaften

Schlüsselindikatoren Vetek Standard Traditionelle Lösungen

Basismaterial Reinheit 6n Isostatische Graphit 5N geformtes Graphit

CTE-Matching-Grad (25-1400 ℃) Δα ≤ 0,3 × 10⁻⁶/ k Δα ≥ 1,2 × 10 ° C/ K

Wärmeleitfähigkeit bei 800 ℃ 110 mit m · k 85 mit m · k

Oberflächenrauheit (RA) ≤ 0,1 μm ≥ 0,5 μm

Säuretoleranz (pH = 1@80 ℃) 1500 Zyklen 300 Zyklen

Kernvorteilsrekonstruktion

Thermalmanagement Innovation

Atomic CTE Matching -Technik

Japan Toyo Carbon Graphit/SGL -Substrat + Gradient SIC -Beschichtung

Wärmezyklusspannung reduziert um 82% (gemessen 1400 ℃↔RT 500 Zyklen ohne Knacken)

Intelligentes thermisches Felddesign

12-Zonen-Temperaturkompensationsstruktur: erreicht ± 0,5 ℃ Gleichmäßigkeit auf der Oberfläche des φ200mm-Wafers

Dynamische thermische Reaktion: Temperaturgradient ≤ 1,2 ℃/cm bei 5 ℃/s Heizrate

Chemisches Schutzsystem
Dreifache Verbundbarriere

50 μm dichte sic Hauptschutzschicht

Nanotac -Übergangsschicht (optional)

Infiltrationsdichtung von Gasphasen

Überprüft durch ASTM G31-21:

CL -Basiskorrosionsrate <0,003 mm/Jahr

NH3 für 1000h ohne Korngrenze ausgesetzt

Intelligentes Fertigungssystem

Digitale Zwillingsverarbeitung

Fünf-Achsen-Bearbeitungszentrum: Positionsgenauigkeit ± 1,5 μm

Online -3D -Scan -Inspektion: 100% Überprüfung in voller Größe (gemäß ASME Y14.5)

Szenario-basierte Wertpräsentation

Halbleitermassenproduktion der dritten Generation

Anwendungsszenario -Prozessparameter Kundenvorteile

Gan Hemt 6 Zoll /150 μm epitaxiale zweidimensionale Elektronenzasdichteschwankung <2%

SIC MOSFET C DOPING -Gleichmäßigkeit ± 3% Schwellenspannungsabweichung wird um 40% reduziert

Die Gleichmäßigkeit der Mikro -LED -Wellenlänge ± 1,2 nm Bin -Bin -Bin -Rate stieg um 15% um 15%

Wartungskostenoptimierung

Die Reinigungszeit wird um dreimal verlängert: HF: HNO ₃ = 1: 3 Die Reinigung mit hoher Intensität wird unterstützt

Lebensdauer des Ersatzteils für Ersatzteile: AI -Algorithmus Genauigkeit von ± 5%

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