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CVD-TaC-beschichteter Graphitring
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CVD-TaC-beschichteter Graphitring

Der CVD-TaC-beschichtete Graphitring von Veteksemicon wurde entwickelt, um den extremen Anforderungen der Halbleiterwaferverarbeitung gerecht zu werden. Mithilfe der CVD-Technologie (Chemical Vapour Deposition) wird eine dichte und gleichmäßige Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung auf hochreine Graphitsubstrate aufgetragen, wodurch eine außergewöhnliche Härte, Verschleißfestigkeit und chemische Inertheit erreicht wird. In der Halbleiterfertigung wird der CVD-TaC-beschichtete Graphitring häufig in MOCVD-, Ätz-, Diffusions- und epitaktischen Wachstumskammern verwendet und dient als wichtige Struktur- oder Dichtungskomponente für Waferträger, Suszeptoren und Abschirmbaugruppen. Wir freuen uns auf Ihre weitere Beratung.

Allgemeine Produktinformationen

Herkunftsort:
China
Markenname:
Mein Rivale
Modellnummer:
CVD-TaC-beschichteter Graphitring-01
Zertifizierung:
ISO9001

Geschäftsbedingungen für Produkte


Mindestbestellmenge:
Vorbehaltlich Verhandlungen
Preis:
Kontakt für individuelle Angebote
Verpackungsdetails:
Standard-Exportpaket
Lieferzeit:
Lieferzeit: 30–45 Tage nach Auftragsbestätigung
Zahlungsbedingungen:
T/T
Lieferfähigkeit:
200 Einheiten/Monat


Anwendung: Veteksemicon CVD TaC beschichteter Ring wurde speziell für entwickeltSiC-Kristallwachstumsprozesse. Als wichtige tragende Komponente innerhalb der Hochtemperatur-Reaktionskammer isoliert seine einzigartige TaC-Beschichtung wirksam Siliziumdampfkorrosion, verhindert die Kontamination mit Verunreinigungen und sorgt für strukturelle Stabilität in langfristigen Hochtemperaturumgebungen, was eine zuverlässige Garantie für die Gewinnung hochwertiger Kristalle darstellt.


Leistungen, die erbracht werden können: Analyse des Kundenanwendungsszenarios, passende Materialien, technische Problemlösung.


Firmenprofile:Veteksemicon verfügt über zwei Labore, ein Expertenteam mit 20 Jahren Materialerfahrung sowie F&E- und Produktions-, Test- und Verifizierungskapazitäten.


Der CVD-TaC-beschichtete Ring von Veteksemicon ist ein Kernverbrauchsmaterial, das für die chemische Gasphasenabscheidung bei hohen Temperaturen und das Kristallwachstum fortschrittlicher Halbleitermaterialien, insbesondere Siliziumkarbid, entwickelt wurde. Wir nutzen eine einzigartige, optimierte chemische Gasphasenabscheidungstechnologie, um eine dichte, gleichmäßige Schicht aufzubringenTantalkarbidbeschichtungauf einem hochreinen Graphitsubstrat. Mit außergewöhnlicher Hochtemperaturbeständigkeit, ausgezeichneter Korrosionsbeständigkeit und einer extrem langen Lebensdauer schützt dieses Produkt effektiv die Kristallqualität und senkt Ihre Gesamtproduktionskosten erheblich, was es zu einer unverzichtbaren Wahl für Prozesse macht, die Prozessstabilität und höchste Ausbeute erfordern.


Technische Parameter:

Projekt
Parameter
Grundmaterial
Isostatisch gepresster hochreiner Graphit (Reinheit ≥ 99,99 %)
Beschichtungsmaterial
Tantalkarbid
Beschichtungstechnik
Chemische Gasphasenabscheidung bei hoher Temperatur
Beschichtungsdicke
Standard 30–100 μm (kann je nach Prozessanforderungen angepasst werden)
Beschichtung purity
≥ 99,995 %
Maximale Betriebstemperatur
2200°C (inerte Atmosphäre oder Vakuum)
Hauptanwendungen
SiC PVT/LPE-Kristallwachstum, MOCVD, andere Hochtemperatur-CVD-Prozesse


Kernvorteile des CVD-TaC-beschichteten Rings von Mein Rivale


Beispiellose Reinheit und Stabilität

In der extremen Umgebung des SiC-Kristallwachstums, in der die Temperaturen 2000 °C überschreiten, können selbst Spuren von Verunreinigungen die elektrischen Eigenschaften des gesamten Kristalls zerstören. UnserCVD-TaC-BeschichtungDank seiner außergewöhnlichen Reinheit werden Verunreinigungen im Ring grundsätzlich ausgeschlossen. Darüber hinaus gewährleistet die hervorragende Hochtemperaturstabilität, dass sich die Beschichtung bei längeren Hochtemperatur- und Temperaturzyklen nicht zersetzt, verflüchtigt oder mit Prozessgasen reagiert, wodurch eine reine und stabile Dampfphasenumgebung für das Kristallwachstum entsteht.


Ausgezeichnete Korrosion undErosionsbeständigkeit

Korrosion von Graphit durch Siliziumdampf ist die Hauptursache für Ausfälle und Partikelverunreinigungen bei herkömmlichen Graphitringen. Unsere TaC-Beschichtung mit ihrer extrem geringen chemischen Reaktivität mit Silizium blockiert wirksam Siliziumdampf und schützt so das darunter liegende Graphitsubstrat vor Erosion. Dies verlängert nicht nur die Lebensdauer des Rings selbst erheblich, sondern, was noch wichtiger ist, reduziert auch die durch Substratkorrosion und Abplatzungen entstehenden Partikel erheblich, was direkt die Kristallwachstumsausbeute und die innere Qualität verbessert.


Hervorragende mechanische Leistung und Lebensdauer

Die durch das CVD-Verfahren gebildete TaC-Beschichtung weist eine extrem hohe Dichte und Vickers-Härte auf, was sie äußerst widerstandsfähig gegen Verschleiß und physikalische Stöße macht. In praktischen Anwendungen können unsere Produkte die Lebensdauer im Vergleich zu herkömmlichen Graphitringen oder mit Pyrolysekohlenstoff/Siliziumkarbid beschichteten Ringen um das Drei- bis Achtfache verlängern. Dies bedeutet weniger Ausfallzeiten für den Austausch und eine höhere Geräteauslastung, was die Gesamtkosten der Einkristallproduktion erheblich senkt.


Hervorragende Beschichtungsqualität

Die Leistung einer Beschichtung hängt in hohem Maße von ihrer Gleichmäßigkeit und Haftfestigkeit ab. Unser optimierter CVD-Prozess ermöglicht es uns, selbst bei komplexesten Ringgeometrien eine sehr gleichmäßige Schichtdicke zu erreichen. Noch wichtiger ist, dass die Beschichtung eine starke metallurgische Verbindung mit dem hochreinen Graphitsubstrat eingeht und so ein Abblättern, Reißen oder Abblättern aufgrund von Unterschieden in den Wärmeausdehnungskoeffizienten während schneller Aufheiz- und Abkühlzyklen wirksam verhindert und so eine anhaltend zuverlässige Leistung über den gesamten Lebenszyklus des Produkts gewährleistet.


Bestätigung der Verifizierung der ökologischen Kette

Die Verifizierung der ökologischen Kette von Veteksemicon CVD TaC Coated Ring erstreckt sich von den Rohstoffen bis zur Produktion, hat die internationale Standardzertifizierung bestanden und verfügt über eine Reihe patentierter Technologien, um seine Zuverlässigkeit und Nachhaltigkeit in den Bereichen Halbleiter und neue Energien sicherzustellen.


Hauptanwendungsgebiete

Anwendungsrichtung
Typisches Szenario
SiC-Kristallwachstum
Kernstützringe für 4H-SiC- und 6H-SiC-Einkristalle, gezüchtet durch PVT- (Physical Vapour Transport) und LPE- (Liquid Phase Epitaxy) Methoden.
GaN auf SiC-Epitaxie
Ein Träger oder eine Baugruppe in einem MOCVD-Reaktor.
Andere Hochtemperatur-Halbleiterprozesse
Es eignet sich für jeden fortschrittlichen Halbleiterherstellungsprozess, der den Schutz des Graphitsubstrats bei hohen Temperaturen und stark korrosiven Umgebungen erfordert.


Für detaillierte technische Spezifikationen, Whitepapers oder Mustertestvereinbarungen wenden Sie sich bitte an unsKontaktieren Sie unser technisches Support-Teamum herauszufinden, wie Veteksemicon Ihre Prozesseffizienz steigern kann.


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