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Hochreinheit Graphitring

Hochreinheit Graphitring

Hochreinheit Graphit Ring eignet sich für GaN -epitaxiale Wachstumsprozesse. Ihre hervorragende Stabilität und ihre überlegene Leistung haben sie weit verbreitet gemacht. Vetek Semiconductor produziert und produziert weltweit führende Hochreinheit-Graphitring, um die Gan-Epitaxy-Industrie weiterhin weiterzuentwickeln. Veteksemi freut sich darauf, Ihr Partner in China zu werden.


Simple diagram of GaN epitaxial growthDer Prozess vonGan epitaxialDas Wachstum wird in einer hochtemperativen, korrosiven Umgebung durchgeführt. Die heiße Zone des Gan-epitaxialen Wachstumsofens ist normalerweise mit hitzebeständigen und korrosionsresistenten hochreinheitlichen Graphitenteilen wie Heizungen, Tiegel, Graphitelektroden, Tiegelhaltern, Elektrodenmuttern usw. ausgestattet. Graphitringdichtung ist einer der wichtigen Teile.


Der hochreinbare Graphitring von Vetek Semiconductor besteht aus reinem Graphit mit extrem hoher Reinheit, und der Aschengehalt des fertigen Produkts kann <5 ppm sein.

Und die Graphitringe haben die Eigenschaften von hohen Temperaturwiderstand und Korrosionsbeständigkeit, guter elektrischer und thermischer Leitfähigkeit, chemischer Stabilität und thermischer Stoßwiderstand, wodurch sie für die Verwendung in GaN -epitaxialen Wachstumsöfen geeignet sind.


Vetek Semiconductor's High-Purity-Graphitringe bestehen aus Graphit von höchster Qualität mit stabiler Leistung und langer Lebensdauer. Wenn Sie GaN-epitaxiale Wachstum durchführen müssen, sind unsere hochreinheitlichen Graphitringe die beste Auswahl an Graphitenteilen.


Vetek Semiconductor kann Kunden hochmobile Produkte zur Verfügung stellen, sei es die Größe oder das Material des Rings, sondern die verschiedenen Anforderungen der Kunden. Wir warten jederzeit auf Ihre Beratung.


Materialdaten von SGL 6510 Graphit


Typische Eigenschaften
Einheiten
Teststandards
Werte
Durchschnittliche Korngröße
μm
ISO 13320
10
Schüttdichte
g/cm3
Von IEC 60413/204
1.83
Offene Porosität
Vol.%
Von 66133
10
Mittelporeneingangsdurchmesser
μm
Von 66133
1.8
Permeabilitätskoeffizient (Umgebungstemperatur)
cm2/S
Ab 51935
0.06
Rockwell Härte Hr5/100
 \ Von IEC 60413/303
90
Widerstand
μωm
Von IEC 60413/402
13
Biegerstärke
MPA
Von IEC 60413/501
60
Druckfestigkeit
MPA
Ab 51910
130
Dynamikmodul von Elastizität
MPA
Ab 51915
11,5 x 103
Wärmeausdehnung (20-200 ℃)
K-1
Ab 51909
4.2x10-6
Wärmeleitfähigkeit(20 ℃)
Wm-1K-1
Ab 51908
105
Ascheninhalt
ppm
Ab 51903
\

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