Horizontaler SiC-Waferträger

VeTek SemiconductorHorizontaler SiC-Waferträger/Boot hat einen extrem hohen Schmelzpunkt (ca. 2700 ° C), der dem ermöglichtHorizontaler SiC-Waferträger/Boot, um stabil in Hochtemperaturumgebungen ohne Verformung oder Verschlechterung zu arbeiten. Dieses Merkmal ist besonders wichtig im Halbleiterherstellungsprozess, insbesondere in Prozessen wie Hochtemperatur-Tempern oder chemischer Dampfabscheidung (CVD).

DerHorizontaler SiC-Waferträger/Boot spielt im Prozess des Transports von Waferträgern insbesondere die folgenden Rollen:

Siliziumwafer und Unterstützung: Das horizontale SIC -Waferboot wird hauptsächlich zum Tragen und Unterstützung von Siliziumwafern während der Halbleiterherstellung verwendet. Es kann mehrere Siliziumwafer fest zusammenarbeiten, um sicherzustellen, dass sie während des gesamten Verarbeitungsprozesses in guter Position und Stabilität bleiben.

Gleichmäßiges Heizen und Kühlen: Aufgrund der hohen thermischen Leitfähigkeit von SIC kann das Waferboot Wärme effektiv gleichmäßig an alle Siliziumwafer verteilen. Dies trägt dazu bei, eine gleichmäßige Erwärmung oder Kühlung von Siliziumwafern während der Hochtemperaturverarbeitung zu erreichen und die Konsistenz und Zuverlässigkeit des Verarbeitungsprozesses zu gewährleisten.

Verschmutzung verhindern: Die chemische Stabilität von SiC ermöglicht eine gute Leistung in Umgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Gasen, wodurch die Belastung von Siliziumwafern durch mögliche Verunreinigungen oder Reaktanten verringert wird und die Reinheit und Qualität von Siliziumwafern gewährleistet wird.

Tatsächlich kann das horizontale SiC-Wafer-Boot aufgrund seiner einzigartigen Produkteigenschaften die oben genannte Rolle spielen:

Ausgezeichnete chemische Stabilität: SIC -Material hat eine hervorragende Korrosionsbeständigkeit gegen eine Vielzahl von chemischen Medien. Bei der Verarbeitung von korrosiven Gasen oder Flüssigkeiten kann das SIC -Waferboot der chemischen Korrosion effektiv widerstehen und Siliziumwafer vor Kontamination oder Beschädigung schützen.

Hohe Wärmeleitfähigkeit: Die hohe thermische Leitfähigkeit von SIC trägt dazu bei, die Wärme im Trägerprozess gleichmäßig zu verteilen und die Wärmeakkumulation zu reduzieren. Dies kann die Genauigkeit der Temperaturregelung während der Präzisionsverarbeitung verbessern und eine gleichmäßige Erwärmung oder Kühlung von Siliziumwafern sicherstellen.

Niedriger thermischer Expansionskoeffizient: Der niedrige thermische Expansionskoeffizient des SIC -Materials bedeutet, dass die dimensionale Änderung des SIC -Waferboots bei Temperaturänderungen sehr gering ist. Dies hilft, die dimensionale Stabilität während der Hochtemperaturverarbeitung aufrechtzuerhalten, und verhindert die Verformung oder positionelle Verschiebung von Siliziumwafern, die durch die thermische Ausdehnung verursacht werden.

Grundlegende physikalische Eigenschaften des horizontalen SiC-Wafer-Trägers:

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Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie: