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SiC-beschichteter Graphitsuszeptor für ASM
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SiC-beschichteter Graphitsuszeptor für ASM

Der SiC-beschichtete Graphitsuszeptor von Veteksemicon für ASM ist eine Kernträgerkomponente in Halbleiter-Epitaxieprozessen. Dieses Produkt nutzt unsere proprietäre pyrolytische Siliziumkarbid-Beschichtungstechnologie und Präzisionsbearbeitungsprozesse, um eine überragende Leistung und eine extrem lange Lebensdauer in Hochtemperatur- und korrosiven Prozessumgebungen zu gewährleisten. Wir verstehen die strengen Anforderungen epitaktischer Prozesse an Substratreinheit, thermische Stabilität und Konsistenz sehr gut und sind bestrebt, unseren Kunden stabile, zuverlässige Lösungen zu bieten, die die Gesamtleistung der Ausrüstung verbessern.

Allgemeine Produktinformationen


Herkunftsort:
China
Markenname:
Mein Rivale
Modellnummer:
SiC-beschichteter Graphitsuszeptor für ASM-01
Zertifizierung:
ISO9001


Geschäftsbedingungen für Produkte


Mindestbestellmenge:
Vorbehaltlich Verhandlungen
Preis:
Kontakt für individuelle Angebote
Verpackungsdetails:
Standard-Exportpaket
Lieferzeit:
Lieferzeit: 30–45 Tage nach Auftragsbestätigung
Zahlungsbedingungen:
T/T
Lieferfähigkeit:
100 Einheiten/Monat


✔ Anwendung: Das SiC-beschichtete Graphitsubstrat von Veteksemicon ist ein wichtiges Verbrauchsmaterial für die Epitaxieausrüstung der ASM-Serie. Es stützt den Wafer direkt und sorgt für ein gleichmäßiges und stabiles Wärmefeld während der Hochtemperaturepitaxie. Damit ist es eine Kernkomponente für die Gewährleistung des qualitativ hochwertigen Wachstums fortschrittlicher Halbleitermaterialien wie GaN und SiC.

✔ Leistungen, die erbracht werden können: Analyse des Kundenanwendungsszenarios, passende Materialien, technische Problemlösung. 

✔ Firmenprofil:Veteksemicon verfügt über zwei Labore, ein Expertenteam mit 20 Jahren Materialerfahrung sowie F&E- und Produktions-, Test- und Verifizierungskapazitäten.


Technische Parameter


Projekt
Parameter
Anwendbare Modelle
Epitaxieausrüstung der ASM-Serie
Grundmaterial
Hochreiner isostatischer Graphit mit hoher Dichte
Beschichtungsmaterial
Hochreines pyrolytisches Siliziumkarbid
Beschichtungsdicke
Die Standarddicke beträgt 80–150 μm (anpassbar an die Prozessanforderungen des Kunden)
Oberflächenrauheit
Die Beschichtungsoberfläche Ra ≤ 0,5 μm (Polieren kann je nach Prozessanforderungen durchgeführt werden)
Konsistenzgarantie
Jedes Produkt wird vor Verlassen des Werks einer strengen Prüfung auf Aussehen, Abmessung und Wirbelstrom unterzogen, um eine stabile und zuverlässige Qualität zu gewährleisten


Mein Rivale SiC-beschichteter Graphitsuszeptor für ASM-Kernvorteile


1. Extreme Reinheit und niedrige Fehlerrate

Durch den Einsatz von hochreinem, feinteiligem Spezialgraphitsubstrat in Kombination mit unserem streng kontrollierten CVD-Beschichtungsverfahren (Chemical Vapour Deposition) stellen wir sicher, dass die Beschichtung dicht, lochfrei und frei von Verunreinigungen ist. Dadurch wird das Risiko einer Partikelkontamination während des Epitaxieprozesses erheblich reduziert und eine saubere Substratumgebung für das Wachstum hochwertiger Epitaxieschichten geschaffen.


2. Hervorragende Korrosionsbeständigkeit und Verschleißfestigkeit

Die pyrolytische Siliziumkarbidbeschichtung verfügt über eine extrem hohe Härte und chemische Inertheit und widersteht wirksam der Erosion von Siliziumquellen (wie SiH4, SiHCl3), Kohlenstoffquellen (wie C3H8) und Ätzgasen (wie HCl, H2) bei hohen Temperaturen. Dies verlängert den Wartungszyklus der Basis erheblich und reduziert Maschinenstillstandszeiten durch Komponentenaustausch.


3. Hervorragende thermische Gleichmäßigkeit und Stabilität

Wir haben die Wärmefeldverteilung innerhalb des Betriebstemperaturbereichs durch präzises Design der Substratstruktur und Steuerung der Beschichtungsdicke optimiert. Dies führt direkt zu einer hervorragenden Gleichmäßigkeit der Dicke und des spezifischen Widerstands des epitaktischen Wafers und trägt so zu einer verbesserten Ausbeute bei der Chipherstellung bei.


4. Hervorragende Haftfestigkeit der Beschichtung

Durch die einzigartige Oberflächenvorbehandlung und die Gradientenbeschichtungstechnologie kann die Siliziumkarbidbeschichtung eine starke Bindungsschicht mit dem Graphitsubstrat bilden und so ein Abblättern, Abblättern oder Rissbildungsprobleme der Beschichtung, die bei langfristigen thermischen Zyklen auftreten können, wirksam verhindern.


5. Präzise Größe und Strukturreplikation

Wir verfügen über ausgereifte CNC-Bearbeitungs- und Testkapazitäten, die es uns ermöglichen, die komplexe Geometrie, die Hohlraumabmessungen und die Montageschnittstellen der Originalbasis vollständig zu reproduzieren und so eine perfekte Abstimmung und Plug-and-Play-Funktionalität mit der Plattform des Kunden zu gewährleisten.


6. Bestätigung der Verifizierung der ökologischen Kette

Der mit SiC beschichtete Graphitsuszeptor von Veteksemicon für die Verifizierung der ökologischen Kette von ASM umfasst die Rohstoffe bis zur Produktion, hat die internationale Standardzertifizierung bestanden und verfügt über eine Reihe patentierter Technologien, um seine Zuverlässigkeit und Nachhaltigkeit in den Bereichen Halbleiter und neue Energien sicherzustellen.

Für detaillierte technische Spezifikationen, Whitepapers oder Mustertestvereinbarungen wenden Sie sich bitte an unser technisches Support-Team, um herauszufinden, wie Veteksemicon Ihre Prozesseffizienz verbessern kann.


Hauptanwendungsgebiete


Anwendungsrichtung
Typisches Szenario
Herstellung von SiC-Leistungsgeräten
Beim homoepitaktischen SiC-Wachstum stützt das Substrat direkt das Siliziumkarbidsubstrat und ist dabei hohen Temperaturen von über 1600 °C und einer hoch ätzbaren Gasumgebung ausgesetzt.
Herstellung von HF- und Leistungsgeräten auf Siliziumbasis
Wird zum Aufwachsen epitaktischer Schichten auf Siliziumsubstraten verwendet und dient als Grundlage für die Herstellung hochwertiger Leistungsgeräte wie Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs), Superjunction-MOSFETs und Hochfrequenzgeräte (RF).
Verbindungshalbleiterepitaxie der dritten Generation
Beispielsweise dient es beim heteroepitaxialen Wachstum von GaN-auf-Si (Galliumnitrid auf Silizium) als Schlüsselkomponente zur Unterstützung von Saphir- oder Siliziumsubstraten.


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