Sic beschichtete Waferträger

Die Chipherstellung ist untrennbar mit der Waferherstellung verbunden. Im Wafervorbereitungsprozess gibt es zwei Kernglieder: Zum einen die Vorbereitung des Substrats und zum anderen die Durchführung des Epitaxieprozesses. Das Substrat kann direkt in den Wafer-Herstellungsprozess zur Herstellung von Halbleiterbauelementen eingesetzt oder dadurch weiter verbessert werdenepitaktischer Prozess. 

Bei der Epitaxie wird eine neue Einkristallschicht auf einem Einkristallsubstrat gezüchtet, das fein bearbeitet wurde (Schneiden, Schleifen, Polieren usw.). Da sich die neu gewachsene Einkristallschicht entsprechend der Kristallphase des Substrats ausdehnt, wird sie Epitaxieschicht genannt. Wenn die Epitaxieschicht auf dem Substrat wächst, wird das Ganze als Epitaxiewafer bezeichnet. Durch die Einführung der Epitaxietechnik werden viele Defekte einzelner Substrate geschickt behoben.

Im Epitaxie-Wachstumsofen kann das Substrat nicht zufällig platziert werden, und aWaferträgerist erforderlich, um das Substrat auf dem Waferhalter zu platzieren, bevor die epitaktische Abscheidung auf dem Substrat durchgeführt werden kann. Dieser Waferhalter ist der SiC-beschichtete Waferträger.

Querschnittsansicht des EPI-Reaktors

Eine hochwertigeSiC-Beschichtungwird mittels CVD-Technologie auf die Oberfläche von SGL-Graphit aufgetragen:

Mit Hilfe der SiC-Beschichtung werden viele Eigenschaften vonSiC-beschichteter Waferhalterwurden deutlich verbessert:

● Antioxidative Eigenschaften: Die SIC -Beschichtung hat eine gute Oxidationsbeständigkeit und kann die Graphitmatrix bei hohen Temperaturen vor Oxidation schützen und ihre Lebensdauer verlängern.

● Hochtemperaturwiderstand: Der Schmelzpunkt der SIC -Beschichtung ist sehr hoch (ca. 2700 ° C). Nach dem Zugabe von SIC -Beschichtung zur Graphitmatrix kann sie höhere Temperaturen standhalten, was für die Anwendung in der epitaxialen Wachstumsofenofenumgebung vorteilhaft ist.

●  Korrosionsbeständigkeit: Graphit ist in bestimmten sauren oder alkalischen Umgebungen anfällig für chemische Korrosion, während die SiC-Beschichtung eine gute Beständigkeit gegen Säure- und Alkalikorrosion aufweist, sodass sie lange Zeit in epitaktischen Wachstumsöfen verwendet werden kann.

● Resistenz tragen: SiC -Material hat eine hohe Härte. Nachdem Graphit mit SIC überzogen ist, wird es bei Verwendung in einem epitaxialen Wachstumsofen nicht leicht beschädigt, wodurch die Materialverschleißrate verringert wird.

Es Halbleiterverwendet die besten Materialien und die fortschrittlichste Verarbeitungstechnologie, um seinen Kunden branchenführende SiC-beschichtete Waferträgerprodukte anzubieten. Das starke technische Team von VeTek Semiconductor ist stets bestrebt, den Kunden die am besten geeigneten Produkte und besten Systemlösungen zu bieten.

REM-DATEN DES CVD-SIC-FILM

Es HalbleiterSic beschichtete Waferträgerläden