Siliziumkarbidkeramikbeschichtung

Es Halbleiter Siliziumkarbidkeramikbeschichtungist eine leistungsstarke Schutzbeschichtung aus extrem hartem und abgenutzten Siliziumcarbidmaterial (SIC), das eine hervorragende chemische Korrosionsbeständigkeit und hohe Temperaturstabilität bietet. Diese Eigenschaften sind bei der Halbleiterproduktion von entscheidender Bedeutung, sodass die Keramikbeschichtung von Siliziumkarbid in den Schlüsselkomponenten der Semiconductor -Herstellungsgeräte häufig verwendet wird.

Die spezifische Rolle des Vetek Semiconductor Silicon Carbid Ceramic Coating in der Halbleiterproduktion istwie folgt:

Verbesserung der Haltbarkeit der Ausrüstung: Siliziumkarbid -Keramikbeschichtung bietet einen hervorragenden Oberflächenschutz für die Herstellung von Halbleitern mit extrem hoher Härte und Verschleißfestigkeit. Insbesondere in hochtemperaturen, hochkarrosiven Prozessumgebungen wie chemische Dampfablagerung (CVD) und Plasma-Ätzung kann die Keramikbeschichtung von Siliziumkarbid eine Schädigung der Geräteoberfläche effektiv verhindern, da chemische Erosion oder physikalische Verschleiß signifikant erweitert werden und die Lebensdauer der Ausrüstung, die durch häufiges Ersatz und eine Erhaltung und Wartung verursacht wurden, signifikant erweitert wird.

Prozessreinheit verbessern: Im Semiconductor -Herstellungsprozess kann jede winzige Kontamination Produktfehler verursachen. Die chemische Inertheit von Siliziumkarbid -Keramikbeschichtung ermöglicht es, unter extremen Bedingungen stabil zu bleiben, das Material daran zu hindern, Partikel oder Verunreinigungen freizusetzen und die Reinheit der Umwelt während des Prozesses zu gewährleisten. Dies ist besonders wichtig für Herstellungsschritte, die eine hohe Präzision und hohe Sauberkeit erfordern, wie z. B. PECVD- und Ionenimplantation.

Optimieren Sie das thermische Management: In der Hochtemperatur-Halbleiterverarbeitung wie der schnellen thermischen Verarbeitung (RTP) und Oxidationsprozesse ermöglicht die hohe thermische Leitfähigkeit der Keramikbeschichtung von Siliziumkarbid eine gleichmäßige Temperaturverteilung innerhalb der Ausrüstung. Dies hilft, die durch Temperaturschwankungen verursachte thermische Spannung und Materialverformung zu verringern, wodurch die Genauigkeit und Konsistenz der Produktherstellung verbessert wird.

Unterstützen Sie die komplexe Prozessumgebung: Bei Prozessen, die eine komplexe Atmosphärenkontrolle erfordern, wie z. B. ICP-Ätz- und PSS-Ätzprozesse, sorgen die Stabilität und Oxidationsbeständigkeit des Keramikbeschichtungsheizung von Siliziumkarbid-Carbid-Keramik für die stabile Leistung der Geräte im langfristigen Betrieb, wodurch das Risiko von Materialabbau oder Geräteschäden aufgrund von Umweltveränderungen verringert wird.

Es HalbleiterKonzentriert sich auf die Herstellung und die Versorgung mit hoher LeistungSiliziumkarbidkeramikbeschichtungund setzt sich für die Bereitstellung fortschrittlicher Technologie und Produktlösungen für die Halbleiterindustrie ein.Wir hoffen aufrichtig, Ihr langfristiger Partner in China zu sein.

Grundlegende physikalische Eigenschaften vonSiliziumkarbidkeramikbeschichtung:

Es Halbleiter Silicon Carbid Keramikbeschichtungsläden:

Überblick über die Halbleiter -Chip -Epitaxie -Industriekette: