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Wangda Road, Ziyang Street, Landkreis Wuyi, Stadt Jinhua, Provinz Zhejiang, China
VeTek Semiconductor ist Ihr innovativer Partner im Bereich der Halbleiterverarbeitung. Mit unserem umfangreichen Portfolio an Materialkombinationen aus Siliziumkarbidkeramik in Halbleiterqualität, Komponentenfertigungskapazitäten und anwendungstechnischen Dienstleistungen können wir Ihnen bei der Bewältigung bedeutender Herausforderungen helfen. Technische Siliziumkarbidkeramiken werden aufgrund ihrer außergewöhnlichen Materialleistung häufig in der Halbleiterindustrie eingesetzt. Die hochreine Siliziumkarbidkeramik von VeTek Semiconductor wird häufig im gesamten Zyklus der Halbleiterherstellung und -verarbeitung eingesetzt.
VeTek Semiconductor bietet technische Keramikkomponenten, die speziell für Batch-Diffusions- und LPCVD-Anforderungen entwickelt wurden, darunter:
• Leitbleche und Halter
• Einspritzdüsen
• Liner und Prozessrohre
• Cantilever-Paddel aus Siliziumkarbid
• Waffelschiffchen und Sockel
SiC-Cantilever-Paddel
SiC-Prozessrohre
Siliziumkarbid-Prozessrohr
SiC-Vertikal-Wafer-Boot
Horizontales Waferboot aus SiC
SiC-Horizontalwafer-Boot
SiC-LPCVD-Waferboot
SiC-Horizontalplattenboot
SiC-Keramik-Dichtungsring
Minimieren Sie Verunreinigungen und außerplanmäßige Wartungsarbeiten mit hochreinen Komponenten, die für die Anforderungen der Plasmaätzverarbeitung entwickelt wurden, darunter:
Fokusringe
Düsen
Schilde
Duschköpfe
Fenster / Deckel
Andere benutzerdefinierte Komponenten
VeTek Semiconductor bietet fortschrittliche Materialkomponenten, die auf Hochtemperatur-Wärmeverarbeitungsanwendungen in der Halbleiterindustrie zugeschnitten sind. Diese Anwendungen umfassen RTP, Epi-Prozesse, Diffusion, Oxidation und Glühen. Unsere technische Keramik ist so konzipiert, dass sie thermischen Schocks standhält und eine zuverlässige und konstante Leistung liefert. Mit den Komponenten von VeTek Semiconductor können Halbleiterhersteller eine effiziente und qualitativ hochwertige thermische Verarbeitung erreichen und so zum Gesamterfolg der Halbleiterproduktion beitragen.
• Diffusoren
• Isolatoren
• Suszeptoren
• Andere kundenspezifische thermische Komponenten
Physikalische Eigenschaften von rekristallisiertem Siliziumkarbid | |
Eigentum | Typischer Wert |
Arbeitstemperatur (°C) | 1600°C (mit Sauerstoff), 1700°C (reduzierende Umgebung) |
SiC / SiC-Gehalt | > 99,96 % |
Si / Freier Si-Gehalt | < 0,1 % |
Schüttdichte | 2,60–2,70 g/cm3 |
Scheinbare Porosität | < 16 % |
Kompressionsstärke | > 600 MPa |
Kaltbiegefestigkeit | 80-90 MPa (20°C) |
Warmbiegefestigkeit | 90–100 MPa (1400 °C) |
Wärmeausdehnung bei 1500 °C | 4,70 · 10-6/°C |
Wärmeleitfähigkeit bei 1200 °C | 23 W/m·K |
Elastizitätsmodul | 240 GPa |
Thermoschockbeständigkeit | Extrem gut |
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