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Silizium -Epitaxie

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EPI -Unterstützer

EPI -Unterstützer

Der EPI -SUPPTOR ist für die anspruchsvollen epitaxialen Geräteanwendungen ausgelegt. Die mit hohen Purity-Siliziumcarbid (sic) beschichtete Graphitstruktur bietet eine hervorragende Wärmefestigkeit, eine gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine konsistente epitaxiale Schichtdicke und -widerstand sowie eine lang anhaltende chemische Resistenz. Wir freuen uns darauf, mit Ihnen zusammenzuarbeiten.
CVD -SIC -Beschichtungsschale

CVD -SIC -Beschichtungsschale

Veteks CVD -SIC -Beschichtungslaffel wird hauptsächlich in der SI -Epitaxie verwendet. Es wird normalerweise mit Siliziumverlängerungsfässern verwendet. Es kombiniert die einzigartige hohe Temperatur und Stabilität der CVD -SIC -Beschichtung, die die gleichmäßige Verteilung des Luftstroms bei der Herstellung von Halbleiter erheblich verbessert. Wir glauben, dass unsere Produkte Ihnen fortschrittliche Technologie und qualitativ hochwertige Produktlösungen bringen können.
SiC-beschichteter Zylindersuszeptor

SiC-beschichteter Zylindersuszeptor

Epitaxy is a technique used in semiconductor device manufacturing to grow new crystals on an existing chip to make a new semiconductor layer.VeTek Semiconductor offers a comprehensive set of component solutions for LPE silicon epitaxy reaction chambers, delivering long lifespan, stable quality, and improved epitaxial Schichtausbeute. Unser Produkt wie SIC Coated Barrel Susceptor erhielt Positionsfeedback von Kunden. Wir bieten auch technische Unterstützung für SI EPI, SIC EPI, MOCVD, UV-LED-Epitaxie und mehr. Fragen Sie sich gerne nach Preisinformationen.
Wenn der EPI-Empfänger

Wenn der EPI-Empfänger

China Top Factory-Vetek Semiconductor kombiniert Präzisionsbearbeitungs- und Halbleiter-SIC- und TAC-Beschichtungsfunktionen. Der SUPI -SUPI -SUPTOR vom Typ Fass bietet Temperatur- und Atmosphärenkontrollfähigkeiten und verbessert die Produktionseffizienz bei den epitaxialen Wachstumsprozessen mit Halbleiter.
So beschichtete Epi -Studiengebühren

So beschichtete Epi -Studiengebühren

Als führender inländischer Hersteller von Siliziumkarbid- und Tantalkarbid-Beschichtungen ist VeTek Semiconductor in der Lage, eine Präzisionsbearbeitung und gleichmäßige Beschichtung von SiC-beschichteten Epi-Suszeptoren zu gewährleisten und die Reinheit der Beschichtung und des Produkts effektiv auf unter 5 ppm zu kontrollieren. Die Produktlebensdauer ist vergleichbar mit der von SGL. Gerne können Sie uns anfragen.
LPE SI EPI-Rezeptor-Set

LPE SI EPI-Rezeptor-Set

Flache Suszeptoren und Zylindersuszeptoren sind die Hauptform von Epi-Suszeptoren. VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller und Innovator von LPE-Si-Epi-Suszeptoren-Sets in China. Wir sind seit vielen Jahren auf SiC-Beschichtung und TaC-Beschichtung spezialisiert. Wir bieten einen LPE-Si-Epi-Suszeptor an Das Set wurde speziell für LPE PE2061S 4-Zoll-Wafer entwickelt. Der Übereinstimmungsgrad von Graphitmaterial und SiC-Beschichtung ist gut, die Gleichmäßigkeit ist ausgezeichnet und die Die Lebensdauer ist lang, was die Ausbeute des Epitaxieschichtwachstums während des LPE-Prozesses (Flüssigkeitsphasenepitaxie) verbessern kann. Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik in China zu besuchen.

Veteksemicon silicon epitaxy solutions are your strategic procurement choice for advanced semiconductor wafer processing, particularly in CMOS, power devices, and MEMS applications. As a key process in wafer engineering, silicon epitaxy (Si Epi) involves the precise deposition of a crystalline silicon layer on top of a polished silicon wafer, offering superior control of doping profiles, defect density, and layer thickness.


Veteksemicon provides epitaxy-ready susceptor parts and reactor components used in Epi CVD systems, supporting both atmospheric and reduced pressure processes. Our product lineup includes silicon epitaxy susceptors, carrier rings, and coated wafer holders, optimized for compatibility with tools from Applied Materials, ASM, and Tokyo Electron (TEL).


Silicon epitaxy plays a critical role in producing ultra-thin junctions, strained silicon layers, and high-voltage isolation structures. Our materials and parts are engineered for high-purity, uniform thermal distribution, and anti-contamination performance during n-type and p-type epitaxial growth.


Closely associated terms include epitaxial wafer, in-situ doping, epitaxy-ready SiC coatings, and epi reactor parts, which support the entire upstream and downstream process of silicon-based IC fabrication.


Discover more about Veteksemicon’s silicon epitaxy support solutions by visiting our product detail page or contacting us for technical consultation and part customization.


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