Als führender inländischer Hersteller von Siliziumkarbid- und Tantalkarbid-Beschichtungen ist VeTek Semiconductor in der Lage, eine Präzisionsbearbeitung und gleichmäßige Beschichtung von SiC-beschichteten Epi-Suszeptoren zu gewährleisten und die Reinheit der Beschichtung und des Produkts effektiv auf unter 5 ppm zu kontrollieren. Die Produktlebensdauer ist vergleichbar mit der von SGL. Gerne können Sie uns anfragen.
Sie können sicher sein, SiC-beschichtete Epi-Suszeptoren in unserer Fabrik zu kaufen.
Es HalbleiterSiC Coated Epi Susceptor ist ein Epitaxiezylinder, ein Spezialwerkzeug für den epitaktischen Wachstumsprozess von Halbleitern mit vielen Vorteilen:
● Effiziente Produktionskapazität: Vetek Semiconductors sic -beschichteter EPI -SUPTOR kann mehrere Wafer aufnehmen, was es ermöglicht, das epitaxiale Wachstum mehrerer Wafer gleichzeitig durchzuführen. Diese effiziente Produktionskapazität kann die Produktionseffizienz erheblich verbessern und Produktionszyklen und Kosten senken.
● Optimierte Temperaturregelung: Der mit SIC beschichtete EPI -Empfängnis ist mit einem fortschrittlichen Temperaturkontrollsystem ausgestattet, um die gewünschte Wachstumstemperatur genau zu kontrollieren und aufrechtzuerhalten. Die stabile Temperaturkontrolle trägt dazu bei, ein einheitliches Wachstum der epitaxialen Schicht zu erzielen und die Qualität und Konsistenz der epitaxialen Schicht zu verbessern.
● Gleichmäßige Atmosphärenverteilung: Der SiC-beschichtete Epi-Suszeptor sorgt für eine gleichmäßige Atmosphärenverteilung während des Wachstums und stellt sicher, dass jeder Wafer den gleichen Atmosphärenbedingungen ausgesetzt ist. Dadurch werden Wachstumsunterschiede zwischen Wafern vermieden und die Gleichmäßigkeit der Epitaxieschicht verbessert.
● Effektive Verunreinigungskontrolle: Das SiC-beschichtete Epi-Suszeptor-Design trägt dazu bei, die Einführung und Diffusion von Verunreinigungen zu reduzieren. Es kann eine gute Abdichtung und Atmosphärenkontrolle bieten, den Einfluss von Verunreinigungen auf die Qualität der Epitaxieschicht reduzieren und so die Leistung und Zuverlässigkeit der Vorrichtung verbessern.
● Flexible Prozessentwicklung: Der Epi Susceptor verfügt über flexible Prozessentwicklungsmöglichkeiten, die eine schnelle Anpassung und Optimierung der Wachstumsparameter ermöglichen. Dies ermöglicht Forschern und Ingenieuren eine schnelle Prozessentwicklung und -optimierung, um den epitaktischen Wachstumsanforderungen verschiedener Anwendungen und Anforderungen gerecht zu werden.
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung:
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum
Typischer Wert
Kristallstruktur
Polykristalline FCC -β -Phasen -FCC -β -Phase, hauptsächlich (111) orientiert
Dichte der SiC-Beschichtung
3,21 g/cm³
CVD -SIC -Beschichtungshärte
2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung
2 ~ 10 mm
Chemische Reinheit
99,99995 %
Wärmekapazität
640 J · kg-1· K-1
Sublimationstemperatur
2700 ℃
Biegerstärke
415 MPa RT 4-Punkte
Elastizitätsmodul
430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Wärmeleitfähigkeit
300W · m-1· K-1
Wärmeausdehnung (CTE)
4,5×10-6K-1
Es HalbleiterSiC-beschichteter Epi-RezeptorProduktionsgeschäft
Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:
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