TAC Coating Planetary Susceptor

Im Bereich der Semiconductor -Herstellung spielt der TAC Coating Planetary Susceceptor eine entscheidende Rolle. Es wird häufig für das Wachstum von Siliciumcarbid (SIC) -Pitaxialschichten in Geräten wie dem Aixtron G5 -System verwendet. Wenn der TAC -Beschichtungs -Planetary Susceptor als äußere Scheibe in Tantal -Carbid -Beschichtungsabscheidung für SIC -Epitaxie verwendet wird, bietet der TAC -Beschichtungs -Planetary Susceptor wesentliche Unterstützung und Stabilität. Es gewährleistet eine gleichmäßige Ablagerung der Tantal-Carbidschicht, die zur Bildung hochwertiger epitaxieller Schichten mit ausgezeichneter Oberflächenmorphologie und der gewünschten Filmdicke beiträgt. Die chemische Trägheit der TAC -Beschichtung verhindert unerwünschte Reaktionen und Kontaminationen, die Integrität der epitaxialen Schichten und die Gewährleistung ihrer überlegenen Qualität.

Die außergewöhnliche thermische Leitfähigkeit der TAC -Beschichtung ermöglicht eine effiziente Wärmeübertragung, die eine gleichmäßige Temperaturverteilung fördert und die thermische Belastung während des epitaxialen Wachstumsprozesses minimiert. Dies führt zur Herstellung von hochwertigen sic-epitaxialen Schichten mit verbesserten kristallographischen Eigenschaften und einer verbesserten elektrischen Leitfähigkeit.

Die genauen Abmessungen und die robuste Konstruktion der Planetenscheibe von TAC Coating machen es einfach, in vorhandene Systeme zu integrieren, um eine nahtlose Kompatibilität und einen effizienten Betrieb zu gewährleisten. Seine zuverlässige Leistung und eine qualitativ hochwertige TAC-Beschichtung tragen zu konsistenten und einheitlichen Ergebnissen bei SIC-Epitaxienprozessen bei.

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