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Tantal Carbid Guide Ring
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Tantal Carbid Guide Ring

Vetek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller und Leiter von Tantal Carbide Guide Ring -Produkten in China. Unser TAC-Führungsring (Tantal Carbid) ist eine Hochleistungsringkomponente aus Tantal-Carbid, die üblicherweise in Semiconductor-Verarbeitungsgeräten verwendet wird, insbesondere in Hochtemperatur- und stark korrosiven Umgebungen wie CVD, PVD, Ätzung und Diffusion. Vetek Semiconductor ist verpflichtet, fortschrittliche Technologie- und Produktlösungen für die Halbleiterindustrie bereitzustellen, und begrüßt Ihre weiteren Anfragen.

Es HalbleiterTantalum Carbid Guide Ringwird aus gestaltetGraphitUndmit Tantal Carbid überzogen, Eine Kombination, die die besten Eigenschaften beider Materialien nutzt, um eine überlegene Leistung und Langlebigkeit zu gewährleisten.


DerTAC -BeschichtungAuf dem Tantal -Carbid -Führer stellt der Ring sicher, dass er in den reaktiven Atmosphären von SIC -Kristallwachstumsöfen chemisch inert bleibt, an denen häufig Gase wie Wasserstoff, Argon und Stickstoff beteiligt sind. Diese chemische Trägheit ist von entscheidender Bedeutung, um eine Kontamination des wachsenden Kristalls zu verhindern, was zu Defekten und einer verringerten Leistung der endgültigen Halbleiterprodukte führen könnte. Darüber hinaus ermöglicht die durch die TAC -Beschichtung bereitgestellte thermische Stabilität den Tantal -Carbidbeschichtungsanleitung, bei hohen Temperaturen effektiv zu arbeitenSiC -Kristallwachstumtypischerweise mehr als 2000 ° C.


Darüber hinaus optimiert die Kombination von Graphit und TAC im Tantal -Carbid -Beschichtungsring das thermische Management innerhalb des Kristallwachstumsofens. Die hohe thermische Leitfähigkeit von Graphit verteilt effizient Wärme, verhindert Hotspots und fördert ein einheitliches Kristallwachstum. In der Zwischenzeit dient die Tantal -Carbidbeschichtung als thermische Barriere und schützt den Graphitkern vor direkter Exposition gegenüber hohen Temperaturen und reaktiven Gasen. Diese Synergie zwischen den Kern- und Beschichtungsmaterialien führt zu einem Führungsring, der nicht nur den harten Bedingungen des SIC -Kristallwachstums standhält, sondern auch die Gesamteffizienz und -qualität des Prozesses verbessert.


Die mechanischen Eigenschaften des Vetek -Halbleiter -Tantal -Carbids reduzieren den Verschleiß am Tantal -Carbid -Beschichtungsring erheblich. Dies ist entscheidend aufgrund der sich wiederholenden Natur desKristallwachstumsprozess, der den Führungsring den häufigen thermischen Zyklen und mechanischen Spannungen aussetzt. Die Härte und Verschleißfestigkeit von Tantal Carbid stellen sicher, dass der Führungsring seine strukturelle Integrität und genaue Abmessungen über einen langen Zeitraum beibehält, wodurch die Notwendigkeit häufiger Ersetzungen minimiert und Ausfallzeiten im Herstellungsprozess reduziert werden.


Vetek Semiconductor Tantal Carbid Coating Guide Ring ist eine wesentliche Komponente in der Halbleiterindustrie, die speziell für das Wachstum von entwickelt wurdeSiliziumkarbidkristalle. Sein Design nutzt die Stärken von Graphit und Tantal-Carbid, um eine außergewöhnliche Leistung in Hochtemperatur- und Stressumgebungen mit hoher Stress zu erzielen. Die TAC-Beschichtung gewährleistet die chemische Trägheit, die mechanische Haltbarkeit und die thermische Stabilität, die alle für die Erzeugung hochwertiger sic-Kristalle von entscheidender Bedeutung sind. Durch die Aufrechterhaltung seiner Integrität und Funktionalität unter extremen Bedingungen unterstützt der Leitring das effiziente und unfreie Wachstum von SIC-Kristallen, wodurch zur Weiterentwicklung von Hochleistungs- und Hochfrequenz-Halbleiter-Geräten beiträgt.


Tantal-Carbid (TAC) -Beschicht auf einem mikroskopischen Querschnitt:


Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4


Physikalische Eigenschaften der TAC -Beschichtung:


Physikalische Eigenschaften der TAC -Beschichtung
Dichte
14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsvermögen
0.3
Wärmeleitkoeffizient
6.3*10-6/K
Härte (HK)
2000 HK
Widerstand
1 × 10-5Ohm*cm
Wärmestabilität
<2500 ℃
Graphitgröße ändert sich
-10 ~ -20um
Beschichtungsdicke
≥ 20 um einen typischen Wert (35 € ± 10um)

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