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Vetek CVD TaC Coated Susceptor ist eine Präzisionslösung, die speziell für leistungsstarkes MOCVD-Epitaxiewachstum entwickelt wurde. Es weist eine hervorragende thermische Stabilität und chemische Inertheit in Umgebungen mit extrem hohen Temperaturen von 1600 °C auf. Wir verlassen uns auf den strengen CVD-Abscheidungsprozess von VETEK und sind bestrebt, die Gleichmäßigkeit des Waferwachstums zu verbessern, die Lebensdauer der Kernkomponenten zu verlängern und stabile und zuverlässige Leistungsgarantien für jede Ihrer Halbleiterproduktionschargen zu bieten.

Der Fokussierungsring aus festem Siliziumkarbid (SiC) von Veteksemicon ist eine wichtige Verbrauchskomponente, die in fortschrittlichen Halbleiterepitaxie- und Plasmaätzprozessen verwendet wird, bei denen eine präzise Steuerung der Plasmaverteilung, der thermischen Gleichmäßigkeit und der Waferkanteneffekte von entscheidender Bedeutung ist. Dieser aus hochreinem massivem Siliziumkarbid gefertigte Fokussierring weist eine außergewöhnliche Plasmaerosionsbeständigkeit, Hochtemperaturstabilität und chemische Inertheit auf und ermöglicht so eine zuverlässige Leistung unter aggressiven Prozessbedingungen. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.

Das Kristallwachstum von Siliziumkarbid ist ein Kernprozess bei der Herstellung von Hochleistungshalbleiterbauelementen. Die Stabilität, Präzision und Kompatibilität von Kristallwachstumsgeräten bestimmen direkt die Qualität und Ausbeute von Siliziumkarbid-Ingots. Basierend auf den Eigenschaften der Physical Vapour Transport (PVT)-Technologie hat Veteksemi einen Widerstandsheizofen für das Siliziumkarbid-Kristallwachstum entwickelt, der ein stabiles Wachstum von 6-Zoll-, 8-Zoll- und 12-Zoll-Siliziumkarbid-Kristallen bei voller Kompatibilität mit leitfähigen, halbisolierenden und N-Typ-Materialsystemen ermöglicht. Durch die präzise Steuerung von Temperatur, Druck und Leistung werden Kristalldefekte wie EPD (Etch Pit Density) und BPD (Basal Plane Dislocation) effektiv reduziert. Gleichzeitig zeichnet es sich durch einen geringen Energieverbrauch und ein kompaktes Design aus, um den hohen Standards der industriellen Großproduktion gerecht zu werden.

Die SiC-Keimbindungstechnologie ist einer der Schlüsselprozesse, die das Kristallwachstum beeinflussen. VETEK hat basierend auf den Eigenschaften dieses Prozesses einen speziellen Vakuum-Heißpressofen für die Samenbindung entwickelt. Der Ofen kann verschiedene Fehler, die während des Keimbindungsprozesses entstehen, effektiv reduzieren und so die Ausbeute und die Endqualität des Kristallbarrens verbessern.

Die SiC-beschichtete Epitaxie-Reaktorkammer von Veteksemicon ist eine Kernkomponente, die für anspruchsvolle Halbleiter-Epitaxie-Wachstumsprozesse entwickelt wurde. Mithilfe fortschrittlicher chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) bildet dieses Produkt eine dichte, hochreine SiC-Beschichtung auf einem hochfesten Graphitsubstrat, was zu einer überlegenen Hochtemperaturstabilität und Korrosionsbeständigkeit führt. Es widersteht wirksam den korrosiven Wirkungen von Reaktionsgasen in Prozessumgebungen mit hohen Temperaturen, unterdrückt Partikelverunreinigungen erheblich, gewährleistet eine gleichbleibende Qualität des Epitaxiematerials und eine hohe Ausbeute und verlängert den Wartungszyklus und die Lebensdauer der Reaktionskammer erheblich. Es ist eine wichtige Wahl für die Verbesserung der Fertigungseffizienz und Zuverlässigkeit von Halbleitern mit großer Bandlücke wie SiC und GaN.

Das Silizium-Kassettenboot von Veteksemicon ist ein präzisionsgefertigter Waferträger, der speziell für Hochtemperatur-Halbleiterofenanwendungen entwickelt wurde, einschließlich Oxidation, Diffusion, Eintreiben und Glühen. Hergestellt aus hochreinem Silizium und nach fortschrittlichen Kontaminationskontrollstandards gefertigt, bietet es eine thermisch stabile, chemisch inerte Plattform, die den Eigenschaften von Siliziumwafern selbst sehr nahe kommt. Diese Ausrichtung minimiert die thermische Belastung, reduziert Schlupf und Defektbildung und sorgt für eine außergewöhnlich gleichmäßige Wärmeverteilung in der gesamten Charge