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VeTek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller und Lieferant von Führungsringen aus porösem Graphit in China. Wir bieten nicht nur fortschrittliche und langlebige Führungsringe aus porösem Graphit, sondern unterstützen auch maßgeschneiderte Dienstleistungen. Willkommen beim Kauf eines Führungsrings aus porösem Graphit in unserer Fabrik.

VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor ist eine präzisionsgefertigte Trägerlösung, die speziell für das epitaktische Wachstum von LEDs und Verbindungshalbleitern entwickelt wurde. Es weist eine außergewöhnliche thermische Gleichmäßigkeit und chemische Inertheit in komplexen MOCVD-Umgebungen auf. Durch den Einsatz des strengen CVD-Abscheidungsprozesses von VETEK sind wir bestrebt, die Konsistenz des Waferwachstums zu verbessern und die Lebensdauer der Kernkomponenten zu verlängern, um eine stabile und zuverlässige Leistungssicherung für jede Charge Ihrer Halbleiterproduktion zu gewährleisten.

Vetek CVD TaC Coated Susceptor ist eine Präzisionslösung, die speziell für leistungsstarkes MOCVD-Epitaxiewachstum entwickelt wurde. Es weist eine hervorragende thermische Stabilität und chemische Inertheit in Umgebungen mit extrem hohen Temperaturen von 1600 °C auf. Wir verlassen uns auf den strengen CVD-Abscheidungsprozess von VETEK und sind bestrebt, die Gleichmäßigkeit des Waferwachstums zu verbessern, die Lebensdauer der Kernkomponenten zu verlängern und stabile und zuverlässige Leistungsgarantien für jede Ihrer Halbleiterproduktionschargen zu bieten.

Der Fokussierungsring aus festem Siliziumkarbid (SiC) von Veteksemicon ist eine wichtige Verbrauchskomponente, die in fortschrittlichen Halbleiterepitaxie- und Plasmaätzprozessen verwendet wird, bei denen eine präzise Steuerung der Plasmaverteilung, der thermischen Gleichmäßigkeit und der Waferkanteneffekte von entscheidender Bedeutung ist. Dieser aus hochreinem massivem Siliziumkarbid gefertigte Fokussierring weist eine außergewöhnliche Plasmaerosionsbeständigkeit, Hochtemperaturstabilität und chemische Inertheit auf und ermöglicht so eine zuverlässige Leistung unter aggressiven Prozessbedingungen. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.

Das Kristallwachstum von Siliziumkarbid ist ein Kernprozess bei der Herstellung von Hochleistungshalbleiterbauelementen. Die Stabilität, Präzision und Kompatibilität von Kristallwachstumsgeräten bestimmen direkt die Qualität und Ausbeute von Siliziumkarbid-Ingots. Basierend auf den Eigenschaften der Physical Vapour Transport (PVT)-Technologie hat Veteksemi einen Widerstandsheizofen für das Siliziumkarbid-Kristallwachstum entwickelt, der ein stabiles Wachstum von 6-Zoll-, 8-Zoll- und 12-Zoll-Siliziumkarbid-Kristallen bei voller Kompatibilität mit leitfähigen, halbisolierenden und N-Typ-Materialsystemen ermöglicht. Durch die präzise Steuerung von Temperatur, Druck und Leistung werden Kristalldefekte wie EPD (Etch Pit Density) und BPD (Basal Plane Dislocation) effektiv reduziert. Gleichzeitig zeichnet es sich durch einen geringen Energieverbrauch und ein kompaktes Design aus, um den hohen Standards der industriellen Großproduktion gerecht zu werden.

Die SiC-Keimbindungstechnologie ist einer der Schlüsselprozesse, die das Kristallwachstum beeinflussen. VETEK hat basierend auf den Eigenschaften dieses Prozesses einen speziellen Vakuum-Heißpressofen für die Samenbindung entwickelt. Der Ofen kann verschiedene Fehler, die während des Keimbindungsprozesses entstehen, effektiv reduzieren und so die Ausbeute und die Endqualität des Kristallbarrens verbessern.