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SIC -Beschichtungssammler unten
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SIC -Beschichtungssammler unten

Mit unserem Know -how in der CVD -SIC -Beschichtung stellt Vetek Semiconductor stolz den Aixtron SIC Coating Collector Bottom, Mitte und Oben vor. Dieser SIC -Beschichtungskollektorboden wird unter Verwendung von hochreinigem Graphit konstruiert und mit CVD SIC beschichtet, um die Verunreinigung unter 5 ppm zu gewährleisten. Wenden Sie sich gerne an uns, um weitere Informationen und Anfragen zu erhalten.

Vetek Semiconductor ist der Hersteller, der sich für eine hohe Qualität verpflichtetCVD -TAC -Beschichtungund CVD SIC Coating Collector Bottom und arbeiten eng mit Aixtron -Geräten zusammen, um den Bedürfnissen unserer Kunden zu erfüllen. Egal, ob wir in der Prozessoptimierung oder in der Entwicklung neuer Produkte sind, wir sind bereit, Ihnen technische Unterstützung zu bieten und alle Fragen zu beantworten, die Sie möglicherweise haben.

Produktkernfunktion

Prozessstabilitätsgarantie

Temperaturgradientenregelung: ± 1.5℃/cm@1200℃


Durchflussfeldoptimierung: Das spezielle Kanalkonstruktion macht die Gleichmäßigkeit der Reaktionsgasverteilung bis zu 92,6%


Ausrüstungsschutzmechanismus

Doppelter Schutz:


Thermalschockpuffer: Stand der schnellen Temperaturänderung von 10 ℃/s standhalten


Partikelabfangen: Einfangen> 0,3 μm Sedimentpartikel


Im Bereich der modernen Technologie

Anwendungsrichtung
Spezifische Prozessparameter
Kundenwert
Grade IGBT
10^17/cm³ Doping -Gleichmäßigkeit  Die Ausbeute stieg um 8-12%
5G RF -Gerät
Oberflächenrauheit <0,15 nm Ra
Die Mobilität der Träger stieg um 15%
PV HJT -Ausrüstung  Anti-PID-Alterungstest> 3000 Zyklen
Ausrüstungswartungszyklus verlängert sich auf 9000 Stunden

Ganze Prozessqualitätskontrolle

Produktionsverfolgbarkeitssystem

Rohstoffquelle: Tokai/Toyo Graphit aus Japan, SGL Graphit aus Deutschland

Digitale Zwillingsüberwachung: Jede Komponente ist an eine unabhängige Prozessparameterdatenbank abgestimmt


Anwendungsszenario:

Halbleiterherstellung der dritten Generation

Szenario: 6-Zoll-SIC-Epitaxialwachstum (100-150 μm Dickekontrolle)

Kompatibler Modell: Aixtron G5 WW/Crius II




Durch die Verwendung von Aixtron SIC Coated Collector Top, Collector Center und SIC Coated Collector können das thermische Management und den chemischen Schutz bei Halbleiterherstellungsprozessen erreicht werden, die Filmwachstumsumgebung kann optimiert werden und die Qualität und Konsistenz des Films kann verbessert werden. Die Kombination dieser Komponenten in Aixtron -Geräten gewährleistet stabile Prozessbedingungen und eine effiziente Halbleiterproduktion.




SEM -Daten von CVD SIC -Film

SEM DATA OF CVD SIC FILM


Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung
Eigentum Typischer Wert
Kristallstruktur Polykristalline FCC -β -Phasen -FCC -β -Phase, hauptsächlich (111) orientiert
Dichte 3,21 g/cm³
Härte 2500 Vickers Härte (500 g Last)
Körnung 2 ~ 10 mm
Chemische Reinheit 99,99995%
Wärmekapazität 640 J · kg-1· K-1
Sublimationstemperatur 2700 ℃
Biegerstärke 415 MPa RT 4-Punkte
Der Modul von Young 430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Wärmeleitfähigkeit 300W · m-1· K-1
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5 × 10-6K-1


Überblick über den Halbleiter Chip -Epitaxie -Industriekette

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


Es HalbleiterSIC -Beschichtungssammler untenProduktionsgeschäft

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