Mit unserem Know -how in der CVD -SIC -Beschichtung stellt Vetek Semiconductor stolz den Aixtron SIC Coating Collector Bottom, Mitte und Oben vor. Dieser SIC -Beschichtungskollektorboden wird unter Verwendung von hochreinigem Graphit konstruiert und mit CVD SIC beschichtet, um die Verunreinigung unter 5 ppm zu gewährleisten. Wenden Sie sich gerne an uns, um weitere Informationen und Anfragen zu erhalten.
Vetek Semiconductor ist der Hersteller, der sich für eine hohe Qualität verpflichtetCVD -TAC -Beschichtungund CVD SIC Coating Collector Bottom und arbeiten eng mit Aixtron -Geräten zusammen, um den Bedürfnissen unserer Kunden zu erfüllen. Egal, ob wir in der Prozessoptimierung oder in der Entwicklung neuer Produkte sind, wir sind bereit, Ihnen technische Unterstützung zu bieten und alle Fragen zu beantworten, die Sie möglicherweise haben.
Produktkernfunktion
Prozessstabilitätsgarantie
Temperaturgradientenregelung: ± 1.5℃/cm@1200℃
Durchflussfeldoptimierung: Das spezielle Kanalkonstruktion macht die Gleichmäßigkeit der Reaktionsgasverteilung bis zu 92,6%
Ausrüstungsschutzmechanismus
Doppelter Schutz:
Thermalschockpuffer: Stand der schnellen Temperaturänderung von 10 ℃/s standhalten
Durch die Verwendung von Aixtron SIC Coated Collector Top, Collector Center und SIC Coated Collector können das thermische Management und den chemischen Schutz bei Halbleiterherstellungsprozessen erreicht werden, die Filmwachstumsumgebung kann optimiert werden und die Qualität und Konsistenz des Films kann verbessert werden. Die Kombination dieser Komponenten in Aixtron -Geräten gewährleistet stabile Prozessbedingungen und eine effiziente Halbleiterproduktion.
SEM -Daten von CVD SIC -Film
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung:
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung
Eigentum
Typischer Wert
Kristallstruktur
Polykristalline FCC -β -Phasen -FCC -β -Phase, hauptsächlich (111) orientiert
Dichte
3,21 g/cm³
Härte
2500 Vickers Härte (500 g Last)
Körnung
2 ~ 10 mm
Chemische Reinheit
99,99995%
Wärmekapazität
640 J · kg-1· K-1
Sublimationstemperatur
2700 ℃
Biegerstärke
415 MPa RT 4-Punkte
Der Modul von Young
430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Wärmeleitfähigkeit
300W · m-1· K-1
Wärmeausdehnung (CTE)
4,5 × 10-6K-1
Überblick über den Halbleiter Chip -Epitaxie -Industriekette
Es HalbleiterSIC -Beschichtungssammler untenProduktionsgeschäft
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