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Wangda Road, Ziyang Street, Landkreis Wuyi, Stadt Jinhua, Provinz Zhejiang, China
VeTek Semiconductor ist auf die Herstellung hochreiner Siliziumkarbid-Beschichtungsprodukte spezialisiert. Diese Beschichtungen sind für die Anwendung auf gereinigtem Graphit, Keramik und hochschmelzenden Metallkomponenten konzipiert.
Unsere hochreinen Beschichtungen sind vor allem für den Einsatz in der Halbleiter- und Elektronikindustrie bestimmt. Sie dienen als Schutzschicht für Waferträger, Suszeptoren und Heizelemente und schützen sie vor korrosiven und reaktiven Umgebungen, die bei Prozessen wie MOCVD und EPI auftreten. Diese Prozesse sind integraler Bestandteil der Waferverarbeitung und Geräteherstellung. Darüber hinaus eignen sich unsere Beschichtungen gut für Anwendungen in Vakuumöfen und zur Probenerwärmung, wo Hochvakuum, reaktive und Sauerstoffumgebungen herrschen.
Bei VeTek Semiconductor bieten wir mit unseren fortschrittlichen Werkstattkapazitäten eine umfassende Lösung. Dadurch ist es uns möglich, die Basiskomponenten aus Graphit, Keramik oder Refraktärmetallen herzustellen und die SiC- oder TaC-Keramikbeschichtungen im eigenen Haus aufzubringen. Wir bieten auch Beschichtungsdienste für vom Kunden bereitgestellte Teile an und gewährleisten so die Flexibilität, unterschiedlichen Anforderungen gerecht zu werden.
Unsere Siliziumkarbid-Beschichtungsprodukte werden häufig in der Si-Epitaxie, SiC-Epitaxie, im MOCVD-System, im RTP/RTA-Prozess, im Ätzprozess, im ICP/PSS-Ätzprozess und im Prozess verschiedener LED-Typen, einschließlich blauer und grüner LED, UV-LED und tiefem UV, eingesetzt LED usw., die an Geräte von LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI usw. angepasst sind.
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung | |
Eigentum | Typischer Wert |
Kristallstruktur | Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert |
Dichte der SiC-Beschichtung | 3,21 g/cm³ |
SiC-Beschichtung. Härte | 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung) |
Körnung | 2~10μm |
Chemische Reinheit | 99,99995 % |
Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
Sublimationstemperatur | 2700℃ |
Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
Wärmeleitfähigkeit | 300W·m-1·K-1 |
Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Mit Siliziumkarbid beschichteter Epi-Suszeptor
Waferträger mit SiC-Beschichtung
SiC-beschichtete Satellitenabdeckung für MOCVD
CVD-SiC-Beschichtungswafer-Epi-Suszeptor
Heizelement mit CVD-SiC-Beschichtung
Aixtron Satellite Wafer-Träger
Epi-Empfänger mit SiC-Beschichtung
Halbmondförmige Graphitteile mit SiC-Beschichtung
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