Siliziumkarbidbeschichtung

Der Halbmond ist eine Graphitkomponente, die in LPE-SiC-Reaktoren verwendet wird und hauptsächlich um die heiße Zone der Kammer herum installiert wird. Obwohl es den Wafer nicht direkt berührt, spielt es dennoch eine Rolle für die Stabilität des Gasflusses und den Reaktorbetrieb während des Epitaxiewachstums. Um hohe Temperaturen und reaktive Prozessbedingungen zu bewältigen, wird die Komponente normalerweise mit einer CVD-SiC-Beschichtung geschützt, während für einige Anwendungen auch eine TaC-Beschichtung verfügbar ist. VETEK liefert auch Graphitfilzisolierungen und andere beschichtete Graphitteile für SiC-Epitaxiesysteme.

Der 8-Zoll-SiC-Epi-Oberring ist ein Hardwareteil für Halbleiterreaktoren. Es funktioniert in Si/SiC-Epitaxie- und MOCVD/CVD-Systemen. Dieser Ring stabilisiert die Hitze im Inneren der Kammer. Es steuert auch den Gasfluss. Das Material ist hochreines CVD-Siliziumkarbid. Es gibt nicht die Ausgasungsprobleme von Graphit. Außerdem wird die Partikelkontamination während der Produktion reduziert. Wir freuen uns über Ihre Anfragen.

VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor ist eine präzisionsgefertigte Trägerlösung, die speziell für das epitaktische Wachstum von LEDs und Verbindungshalbleitern entwickelt wurde. Es weist eine außergewöhnliche thermische Gleichmäßigkeit und chemische Inertheit in komplexen MOCVD-Umgebungen auf. Durch den Einsatz des strengen CVD-Abscheidungsprozesses von VETEK sind wir bestrebt, die Konsistenz des Waferwachstums zu verbessern und die Lebensdauer der Kernkomponenten zu verlängern, um eine stabile und zuverlässige Leistungssicherung für jede Charge Ihrer Halbleiterproduktion zu gewährleisten.

Der Fokussierungsring aus festem Siliziumkarbid (SiC) von Veteksemicon ist eine wichtige Verbrauchskomponente, die in fortschrittlichen Halbleiterepitaxie- und Plasmaätzprozessen verwendet wird, bei denen eine präzise Steuerung der Plasmaverteilung, der thermischen Gleichmäßigkeit und der Waferkanteneffekte von entscheidender Bedeutung ist. Dieser aus hochreinem massivem Siliziumkarbid gefertigte Fokussierring weist eine außergewöhnliche Plasmaerosionsbeständigkeit, Hochtemperaturstabilität und chemische Inertheit auf und ermöglicht so eine zuverlässige Leistung unter aggressiven Prozessbedingungen. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.

Die SiC-beschichtete Epitaxie-Reaktorkammer von Veteksemicon ist eine Kernkomponente, die für anspruchsvolle Halbleiter-Epitaxie-Wachstumsprozesse entwickelt wurde. Mithilfe fortschrittlicher chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) bildet dieses Produkt eine dichte, hochreine SiC-Beschichtung auf einem hochfesten Graphitsubstrat, was zu einer überlegenen Hochtemperaturstabilität und Korrosionsbeständigkeit führt. Es widersteht wirksam den korrosiven Wirkungen von Reaktionsgasen in Prozessumgebungen mit hohen Temperaturen, unterdrückt Partikelverunreinigungen erheblich, gewährleistet eine gleichbleibende Qualität des Epitaxiematerials und eine hohe Ausbeute und verlängert den Wartungszyklus und die Lebensdauer der Reaktionskammer erheblich. Es ist eine wichtige Wahl für die Verbesserung der Fertigungseffizienz und Zuverlässigkeit von Halbleitern mit großer Bandlücke wie SiC und GaN.

Im Kernprozess des epitaktischen Wachstums von Siliziumkarbid ist sich Veteksemicon bewusst, dass die Leistung des Suszeptors direkt die Qualität und Produktionseffizienz der epitaktischen Schicht bestimmt. Unsere hochreinen EPI-Suszeptoren, die speziell für den SiC-Bereich entwickelt wurden, nutzen ein spezielles Graphitsubstrat und eine dichte CVD-SiC-Beschichtung. Mit ihrer überlegenen thermischen Stabilität, hervorragenden Korrosionsbeständigkeit und extrem niedrigen Partikelerzeugungsrate gewährleisten sie den Kunden eine beispiellose Dicke und Gleichmäßigkeit der Dotierung, selbst in rauen Prozessumgebungen mit hohen Temperaturen. Wenn Sie sich für Veteksemicon entscheiden, entscheiden Sie sich für den Grundstein für Zuverlässigkeit und Leistung für Ihre fortschrittlichen Halbleiterfertigungsprozesse.