Siliziumkarbidbeschichtung

Der SiC-beschichtete Graphitsuszeptor von Veteksemicon für ASM ist eine Kernträgerkomponente in Halbleiter-Epitaxieprozessen. Dieses Produkt nutzt unsere proprietäre pyrolytische Siliziumkarbid-Beschichtungstechnologie und Präzisionsbearbeitungsprozesse, um eine überragende Leistung und eine extrem lange Lebensdauer in Hochtemperatur- und korrosiven Prozessumgebungen zu gewährleisten. Wir verstehen die strengen Anforderungen epitaktischer Prozesse an Substratreinheit, thermische Stabilität und Konsistenz sehr gut und sind bestrebt, unseren Kunden stabile, zuverlässige Lösungen zu bieten, die die Gesamtleistung der Ausrüstung verbessern.

Der Veteksemicon-Fokusring wurde speziell für anspruchsvolle Halbleiter-Ätzgeräte entwickelt, insbesondere für SiC-Ätzanwendungen. Seine Hauptfunktion besteht darin, die Verteilung des elektromagnetischen Feldes innerhalb der Reaktionskammer zu optimieren und so eine gleichmäßige und fokussierte Plasmawirkung über die gesamte Waferoberfläche sicherzustellen. Ein Hochleistungs-Fokusring verbessert die Gleichmäßigkeit der Ätzrate erheblich und reduziert Kanteneffekte, wodurch die Produktausbeute und die Produktionseffizienz direkt gesteigert werden.

Die Veteksemicon-Siliziumkarbid-Trägerplatte für die LED-Ätzung wurde speziell für die Herstellung von LED-Chips entwickelt und ist ein zentrales Verbrauchsmaterial im Ätzprozess. Es besteht aus präzisionsgesintertem, hochreinem Siliziumkarbid und bietet eine außergewöhnliche chemische Beständigkeit sowie Dimensionsstabilität bei hohen Temperaturen und widersteht effektiv Korrosion durch starke Säuren, Basen und Plasma. Seine geringen Kontaminationseigenschaften sorgen für hohe Erträge bei LED-Epitaxiewafern, während seine Haltbarkeit, die weit über die herkömmlicher Materialien hinausgeht, Kunden dabei hilft, die Gesamtbetriebskosten zu senken, was es zu einer zuverlässigen Wahl für die Verbesserung der Effizienz und Konsistenz des Ätzprozesses macht.

Der solide SiC-Fokusring von Veteksemi verbessert die Gleichmäßigkeit des Ätzens und die Prozessstabilität erheblich, indem er das elektrische Feld und den Luftstrom am Waferrand präzise steuert. Es wird häufig in Präzisionsätzprozessen für Silizium, Dielektrika und Verbindungshalbleitermaterialien eingesetzt und ist eine Schlüsselkomponente zur Gewährleistung der Massenproduktionsausbeute und eines langfristig zuverlässigen Gerätebetriebs.

Der CVD SIC Coated Graphit-Duschkopf von Vetekememon ist eine Hochleistungskomponente, die speziell für die Prozesse zur Ablagerung des Halbleiterchemikas Dampf (CVD) ausgelegt ist. Dieser Duschkopf wird aus hochreinigem Graphit hergestellt und mit einer Siliziumcarbidbeschichtung (SIC) für chemische Dampfablagerung (CVD) geschützt und bietet herausragende Haltbarkeit, thermische Stabilität und Widerstand gegen korrosive Prozessgase. Ich freue mich auf Ihre weitere Beratung.

Der von Vetekememon in fortgeschrittene Halbleiterprozesse wie MOCVD, LPCVD und Hochtemperature Annealing. Mit einer gleichmäßigen CVD-SIC-Beschichtung sorgt dieser Waferhalter für eine außergewöhnliche thermische Leitfähigkeit, chemische Inertheit und mechanische Festigkeit-wesentlich für die Verarbeitung mit kontaminationsfreier, hochrangiger Wafer.