Siliziumkarbidbeschichtung

Dieser AMAT 0200-03201 Wafer Lift Pin von VeTek beginnt mit hochreinem Graphit, dann fügen wir oben eine dichte CVD-SiC-Beschichtung hinzu. Es ist für 300-mm-Epitaxiesysteme und Applied Materials EPI-Reaktoren konzipiert. Warum Graphit und SiC? Graphit verträgt Hitze sehr gut. Die SiC-Schicht nimmt korrosive Gase auf und nutzt sich nicht schnell ab. Das dünnwandige Design? Dies ermöglicht ein saubereres Anheben und Positionieren der Wafer, weniger Partikel und eine längere Lebensdauer der Teile bei hohen Temperaturen. Wir stellen auch ähnliche SiC-beschichtete Graphitteile für ASM-, Aixtron- und LPE-Systeme her. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.

Vetek Semiconductor stellt Waferträger für VEECO MOCVD-Systeme her, die speziell für LED-Epitaxiearbeiten wie GaN-LEDs, blaugrüne LEDs und das Wachstum von LEDs im tiefen UV-Bereich entwickelt wurden. Diese Träger beginnen mit hochreinem Graphit und erhalten eine dichte CVD-Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung. Diese Kombination hält den hohen Temperaturen, die bei MOCVD auftreten, gut stand – gute thermische Stabilität, Korrosionsbeständigkeit und eine lange Lebensdauer der Beschichtung.

Der Halbmond ist eine Graphitkomponente, die in LPE-SiC-Reaktoren verwendet wird und hauptsächlich um die heiße Zone der Kammer herum installiert wird. Obwohl es den Wafer nicht direkt berührt, spielt es dennoch eine Rolle für die Stabilität des Gasflusses und den Reaktorbetrieb während des Epitaxiewachstums. Um hohe Temperaturen und reaktive Prozessbedingungen zu bewältigen, wird die Komponente normalerweise mit einer CVD-SiC-Beschichtung geschützt, während für einige Anwendungen auch eine TaC-Beschichtung verfügbar ist. VETEK liefert auch Graphitfilzisolierungen und andere beschichtete Graphitteile für SiC-Epitaxiesysteme.

Der 8-Zoll-SiC-Epi-Oberring ist ein Hardwareteil für Halbleiterreaktoren. Es funktioniert in Si/SiC-Epitaxie- und MOCVD/CVD-Systemen. Dieser Ring stabilisiert die Hitze im Inneren der Kammer. Es steuert auch den Gasfluss. Das Material ist hochreines CVD-Siliziumkarbid. Es gibt nicht die Ausgasungsprobleme von Graphit. Außerdem wird die Partikelkontamination während der Produktion reduziert. Wir freuen uns über Ihre Anfragen.

VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor ist eine präzisionsgefertigte Trägerlösung, die speziell für das epitaktische Wachstum von LEDs und Verbindungshalbleitern entwickelt wurde. Es weist eine außergewöhnliche thermische Gleichmäßigkeit und chemische Inertheit in komplexen MOCVD-Umgebungen auf. Durch den Einsatz des strengen CVD-Abscheidungsprozesses von VETEK sind wir bestrebt, die Konsistenz des Waferwachstums zu verbessern und die Lebensdauer der Kernkomponenten zu verlängern, um eine stabile und zuverlässige Leistungssicherung für jede Charge Ihrer Halbleiterproduktion zu gewährleisten.

Der Fokussierungsring aus festem Siliziumkarbid (SiC) von Veteksemicon ist eine wichtige Verbrauchskomponente, die in fortschrittlichen Halbleiterepitaxie- und Plasmaätzprozessen verwendet wird, bei denen eine präzise Steuerung der Plasmaverteilung, der thermischen Gleichmäßigkeit und der Waferkanteneffekte von entscheidender Bedeutung ist. Dieser aus hochreinem massivem Siliziumkarbid gefertigte Fokussierring weist eine außergewöhnliche Plasmaerosionsbeständigkeit, Hochtemperaturstabilität und chemische Inertheit auf und ermöglicht so eine zuverlässige Leistung unter aggressiven Prozessbedingungen. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.