Siliziumkarbid-Trägerplatte für die LED-Ätzung

Allgemeine Produktinformationen

Geschäftsbedingungen für Produkte

Anwendung: Die Siliziumkarbid-Trägerplatte von Veteksemicon für die LED-Ätzung wurde speziell für LED-Ätzprozesse entwickelt. Mit seiner hervorragenden Korrosionsbeständigkeit und Stabilität hilft es Kunden, die Ausbeute deutlich zu steigern und die Gesamtkosten zu senken.

Leistungen, die erbracht werden können: Analyse des Kundenanwendungsszenarios, passende Materialien, technische Problemlösung.

Unternehmensprofil: Veteksemicon verfügt über 2 Labore, ein Expertenteam mit 20 Jahren Materialerfahrung sowie F&E- und Produktions-, Test- und Verifizierungskapazitäten.

Die Hauptvorteile der Veteksemicon-Siliziumkarbid-Trägerplatte für die LED-Ätzung

1. Hervorragende chemische Beständigkeit

Beim Nass- oder Trockenätzen von LED-Chips sind Träger ständig stark korrosiven Chemikalien wie Flusssäure, Salpetersäure und Phosphorsäure ausgesetzt. Herkömmliche Quarzmaterialien erodieren allmählich, was zu Oberflächenrauheit und Partikelverunreinigung führt. Veteksemicon-Siliziumkarbid-Träger mit ihrer inhärenten chemischen Inertheit widerstehen effektiv dem Angriff verschiedener Säuren und Basen und stellen sicher, dass sie die Oberflächenintegrität und ein glattes Finish auch nach Hunderten von Zyklen strenger Verarbeitung beibehalten. Dadurch wird ihre Lebensdauer deutlich verlängert und die Sauberkeit der Prozesskammer erhalten.

2. Hervorragende Hochtemperaturstabilität und Maßhaltigkeit

Bei der Halbleiterverarbeitung kommt es zu häufigen Temperaturwechseln, weshalb der Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) des Materials von entscheidender Bedeutung ist. Unsere Siliziumkarbid-Suszeptoren haben einen extrem niedrigen CTE und passen perfekt zum Silizium-Wafer. Sie widerstehen effektiv thermischen Belastungen, verhindern Verwerfungen oder Verformungen und behalten gleichzeitig eine außergewöhnliche Dimensionsstabilität bei anhaltenden Betriebstemperaturen von Hunderten von Grad Celsius bei. Dadurch wird ein gleichmäßiger Kontakt zwischen Wafer und Suszeptor gewährleistet, wodurch eine hervorragende Gleichmäßigkeit des Ätzprozesses und eine hohe Chargenkonsistenz gewährleistet werden.

3. Hohe Reinheit und extrem geringe Umweltverschmutzung

LED-Epitaxiewafer sind äußerst empfindlich gegenüber Metallverunreinigungen. Selbst die geringste Verschmutzung kann zu einer verringerten Lichtausbeute des Chips und zu Ertragsverlusten führen. Veteksemicon verwendet hochreine Rohstoffe, fortschrittliche Sinterprozesse und kontrolliert die Produktionsumgebung streng, um Metallionenverunreinigungen in seinen Produkten zu minimieren. Dieses kompromisslose Streben nach Reinheit von der Quelle bietet den zuverlässigsten Schutz für Ihre empfindlichen optoelektronischen Geräte und trägt direkt zu einer verbesserten Produktausbeute und -leistung bei.

4. Hervorragende mechanische Eigenschaften und lange Lebensdauer

Siliziumkarbid verfügt über eine außergewöhnliche Härte und Verschleißfestigkeit. Im Vergleich zu Graphitbauteilen ist es weniger anfällig für Staub- und Partikelverlust und hält im Vergleich zu Quarzbauteilen einer größeren mechanischen Beanspruchung und versehentlichen Stößen im Betrieb stand. Diese robusten physikalischen Eigenschaften ermöglichen es Veteksemicon-Trägern, häufiger täglicher Handhabung, Reinigung und Transport standzuhalten, wodurch ungeplante Ausfallzeiten und Ersatzteilkosten aufgrund von Brüchen deutlich reduziert werden, was zu einer längeren Lebensdauer und niedrigeren Gesamtbetriebskosten für Kunden führt.

5. Bestätigung der Verifizierung der ökologischen Kette

Die Verifizierung der ökologischen Kette der Siliziumkarbid-Trägerplatte für LED-Ätzung von Veteksemicon erstreckt sich von den Rohstoffen bis zur Produktion, hat die internationale Standardzertifizierung bestanden und verfügt über eine Reihe patentierter Technologien, um ihre Zuverlässigkeit und Nachhaltigkeit in den Bereichen Halbleiter und neue Energien sicherzustellen.

Typische Anwendungsszenarien

     ● Ätzprozess von mittels MOCVD gezüchteten GaN-basierten LED-Epitaxiewafern

     ● Trockenätzende (ICP, RIE) Trägerplatte in der LED-Chip-Herstellung

     ● Nasschemisch geätzte Trägerplatte in der LED-Chip-Herstellung

     ● Andere Fälle, in denen Halbleitermaterialien in stark korrosiven Umgebungen und hohen Temperaturen verarbeitet werden müssen

Für detaillierte technische Spezifikationen, Whitepapers oder Mustertestvereinbarungen wenden Sie sich bitte an unser technisches Support-Team, um herauszufinden, wie Veteksemicon Ihre Prozesseffizienz verbessern kann.

Shop für Veteksemicon-Produkte