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Waferträger für VEECO MOCVD (LED-Epitaxie)
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Waferträger für VEECO MOCVD (LED-Epitaxie)

Vetek Semiconductor stellt Waferträger für VEECO MOCVD-Systeme her, die speziell für LED-Epitaxiearbeiten wie GaN-LEDs, blaugrüne LEDs und das Wachstum von LEDs im tiefen UV-Bereich entwickelt wurden. Diese Träger beginnen mit hochreinem Graphit und erhalten eine dichte CVD-Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung. Diese Kombination hält den hohen Temperaturen, die bei MOCVD auftreten, gut stand – gute thermische Stabilität, Korrosionsbeständigkeit und eine lange Lebensdauer der Beschichtung.

Produktmerkmale:

  1. Hochreine Graphitbasis mit einer dichten CVD-SiC-Schicht
  2. Gute thermische Gleichmäßigkeit für stabile LED-Epitaxie
  3. Widersteht NH₃, HCl und anderen korrosiven Gasen, die im Prozess verwendet werden
  4. Geringe Partikelabgabe und lange Lebensdauer
  5. Taschendesigns können für verschiedene Wafergrößen und Reaktorplattformen angepasst werden
  6. Eignet sich gut für den langfristigen Hochtemperatur-MOCVD-Betrieb

          


Anwendungen:
Diese Waferträger werden häufig in der Epitaxie von LEDs und Verbindungshalbleitern eingesetzt, darunter:

  • GaN-LED-Epitaxie
  • Blaugrüne LED-Epitaxie
  • Tiefes UV-LED-Wachstum
  • Si-basierte GaN-Epitaxie
  • Allgemeine Herstellung von Verbindungshalbleitern

Kundenspezifische Trägerlösungen passen zu mehreren LED-MOCVD-Plattformen, wie zum Beispiel:

  • VEECO K465i
  • VEECO K700
  • VEECO K868
  • Aixtron G4/G5
  • A7/Unimax


Technische Vorteile:

  1. CVD-SiC-BeschichtungTechnologie, die Ihnen eine gute Dichte und Reinheit verleiht
  2. Die Variation der Beschichtungsdicke wird innerhalb von ±10 μm gehalten – trägt dazu bei, dass die thermische Leistung stabil bleibt
  3. CNC-Bearbeitung mit einer Genauigkeit von bis zu 3 μm für gute Wafer-Passform und Rotationsstabilität
  4. Die Beschichtung haftet gut und widersteht der Rissbildung nach wiederholten Hochtemperatur-MOCVD-Zyklen
  5. Bewältigt problemlos NH₃, HCl und andere raue Epitaxieumgebungen
  6. Geringe Partikelbildung und saubere Oberfläche zur Unterstützung einer hohen AusbeuteLED-Epitaxie
  7. Kann große oder kundenspezifische Größen für verschiedene Reaktorplattformen und Wafer-Layouts beschichten
  8. Langjährige Erfahrung mitkundenspezifische Graphit- und SiC-beschichtete Teilefür LED- und Verbindungshalbleiterepitaxie


FAQ:
1. Was macht ein Waferträger?MOCVDLED-Epitaxie?

A: Es hält und dreht Wafer im MOCVD-Reaktor und trägt dazu bei, die Temperatur während des Epitaxiewachstums konstant zu halten.

2. Warum SiC-beschichtete Graphitwaferträger für MOCVD verwenden?

A: DieCVD-SiC-BeschichtungBietet eine bessere Korrosionsbeständigkeit, thermische Stabilität und Haltbarkeit. Es trägt auch dazu bei, die Partikelkontamination bei der Hochtemperaturepitaxie zu reduzieren.

3. Stellt Vetek Semiconductor kundenspezifische Waferträger her?
A: Ja. Wir können kundenspezifische Träger basierend auf Ihrer Reaktorplattform, Wafergröße, Taschenanordnung und anderen Prozessanforderungen entwerfen.


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