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Tantalcarbid-Beschichtung

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller von Tantalcarbid-Beschichtungsmaterialien für die Halbleiterindustrie. Zu unserem Hauptproduktangebot gehören CVD-Tantalcarbid-Beschichtungsteile, gesinterte TaC-Beschichtungsteile für das SiC-Kristallwachstum oder den Halbleiterepitaxieprozess. VeTek Semiconductor hat ISO9001 bestanden und verfügt über eine gute Qualitätskontrolle. VeTek Semiconductor ist bestrebt, durch kontinuierliche Forschung und Entwicklung iterativer Technologien zum Innovator in der Tantalcarbid-Beschichtungsindustrie zu werden.


Die Hauptprodukte sindTaC-beschichteter Führungsring, CVD-TaC-beschichteter dreiblättriger Führungsring, Tantalkarbid-TaC-beschichteter Halbmond, CVD-TaC-beschichteter planetarischer epitaktischer SiC-Suszeptor, Tantalkarbid-Beschichtungsring, Mit Tantalkarbid beschichteter poröser Graphit, Rotationssuszeptor mit TaC-Beschichtung, Tantal-Karbid-Ring, Rotationsplatte mit TaC-Beschichtung, TaC-beschichteter Wafer-Suszeptor, TaC-beschichteter Deflektorring, CVD-TaC-Beschichtungsabdeckung, TaC-beschichtetes Spannfutterusw., die Reinheit liegt unter 5 ppm, kann die Kundenanforderungen erfüllen.


TaC-Beschichtungsgraphit wird hergestellt, indem die Oberfläche eines hochreinen Graphitsubstrats mit einer feinen Schicht Tantalkarbid durch ein proprietäres chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD) beschichtet wird. Der Vorteil ist im folgenden Bild dargestellt:


Excellent properties of TaC coating graphite


Die Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung hat aufgrund ihres hohen Schmelzpunkts von bis zu 3880 °C, ihrer hervorragenden mechanischen Festigkeit, Härte und Beständigkeit gegen Thermoschocks Aufmerksamkeit erregt, was sie zu einer attraktiven Alternative zu Epitaxieprozessen für Verbindungshalbleiter mit höheren Temperaturanforderungen macht. wie das Aixtron MOCVD-System und der LPE-SiC-Epitaxieprozess. Es findet auch eine breite Anwendung im SiC-Kristallwachstumsprozess mit der PVT-Methode.


Hauptmerkmale:

 ●Temperaturstabilität

 ●Ultrahohe Reinheit

 ●Beständigkeit gegen H2, NH3, SiH4, Si

 ●Beständigkeit gegen thermische Bestände

 ●Starke Haftung auf Graphit

 ●Schutzbeschichtung

 ● Größe bis 750 mm Durchmesser (Der einzige Hersteller in China erreicht diese Größe)


Anwendungen:

 ●Waffelträger

 ● Induktiver Heizsuszeptor

 ● Widerstandsheizelement

 ●Satellitenscheibe

 ●Duschkopf

 ●Führungsring

 ●LED-Epi-Empfänger

 ●Einspritzdüse

 ●Abdeckring

 ● Hitzeschild


Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung auf einem mikroskopischen Querschnitt:


the microscopic cross-section of Tantalum carbide (TaC) coating


Parameter der VeTek Semiconductor Tantalcarbid-Beschichtung:

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Dichte 14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsgrad 0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient 6,3 10-6/K
Härte (HK) 2000 HK
Widerstand 1×10-5Ohm*cm
Thermische Stabilität <2500℃
Graphitgrößenänderungen -10~-20um
Beschichtungsdicke ≥20um typischer Wert (35um±10um)


TaC-Beschichtung EDX-Daten：

EDX data of TaC coating


Kristallstrukturdaten der TaC-Beschichtung:

Element Atomprozent
Pt. 1 Pt. 2 Pt. 3 Durchschnitt
C K 52.10 57.41 52.37 53.96
Ihnen 47.90 42.59 47.63 46.04


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Mit CVD -TAC -Beschichtung beschichtete Halbmononteile sind haltbarer als sic beschichtete Halbmoon -Teile. Preis. Sie können unsere Fabrik für weitere Diskussionen über eine langfristige Zusammenarbeit besuchen.
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Als professioneller Hersteller und Lieferant in China haben wir unsere eigene Fabrik. Unabhängig davon, ob Sie maßgeschneiderte Dienste benötigen, um die spezifischen Bedürfnisse Ihrer Region zu erfüllen oder erweiterte und langlebige Tantalcarbid-Beschichtung in China hergestellt zu werden, können Sie uns eine Nachricht hinterlassen.
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