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Vetek Semiconductor bietet poröse SIC -Keramik -Chuck an, die bei Waferverarbeitungstechnologie, Transfer und anderen Links, die für die Bindung, das Schreiben, das Patch, das Polieren und andere Verbindungen, Laserverarbeitung geeignet sind, häufig eingesetzt werden. Unser poröser Sic-Keramik-Chuck hat eine ultra-starken Vakuumadsorption, hohe Flachheit und hohe Reinheit, die den Bedürfnissen der meisten Halbleiterindustrien entsprechen.

Der CVD-SiC-beschichtete RTP-Suszeptor von VeTek Semiconductor eignet sich für Geräte zur schnellen thermischen Verarbeitung (RTP) und schnellen thermischen Ausheilung (RTA), die in der gesamten Halbleiterfertigung eingesetzt werden. Das Substrat wird aus hochreinem isostatischem Graphit gefertigt, auf dem eine dichte CVD-Siliziumkarbidschicht (SiC) abgeschieden wird. Diese Konstruktion sorgt für eine hohe Wärmeleitfähigkeit, robuste chemische Inertheit und anhaltende Dimensionsstabilität bei wiederholten Hochtemperaturzyklen.

Die TAC-Beschichtung wird derzeit hauptsächlich in Prozessen wie ein Einkristallwachstum von Siliziumkarbid (PVT-Methode), epitaxiale Festplatte (einschließlich Siliziumkarbid-Epitaxie, LED-Epitaxie) usw. verwendet. In Kombination mit der guten Langzeitstabilität von TAC-Beschichtungsplatten. Wir freuen uns darauf, dass Sie unser langfristiger Partner werden.

Porous Graphit spielt als Kernverbrauchsteuer im Halbleiterherstellungsprozess eine unersetzliche Rolle bei mehreren Links wie Kristallwachstum, Doping und Tempern. Als professioneller Hersteller von poröser Graphit setzt sich Vetek Semiconductor dafür ein, qualitativ hochwertige poröse Graphitprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen bereitzustellen. Begrüßen Sie Ihre weitere Anfrage.

Gan on SIC EPI SUPPORTOR spielt eine wichtige Rolle bei der Halbleiterverarbeitung durch seine hervorragende thermische Leitfähigkeit, Hochtemperaturverarbeitungsfähigkeit und chemische Stabilität und sorgt für die hohe Effizienz und materielle Qualität des GaN -epitaxialen Wachstumsprozesses. Vetek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller von China von Gan bei SIC EPI SUPTORTOR. Wir freuen uns auf Ihre weitere Beratung aufrichtig.

Der CVD -TAC -Beschichtenträger ist hauptsächlich für den epitaxialen Prozess der Semiconductor -Herstellung konzipiert. Ultrahoch Schmelzpunkt des CVD-TAC-Beschichtungsträgers, ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit und herausragende thermische Stabilität bestimmen die Unentbehrlichkeit dieses Produkts im Halbleiter-Epitaxialprozess. Begrüßen Sie Ihre weitere Anfrage.